Podpisanie umowy o dofinansowanie

Z przyjemnością informujemy, że podpisana została umowa o dofinansowanie projektu pt. "Pełny pionowo zintegrowany łańcuch technologiczny dla pionowej elektroniki GaN-on-GaN: od podłoża GaN do Inteligentnego Banku Energii", zawarta pomiędzy Narodowym Centrum Badań i Rozwoju a Instytutem Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk, będącym liderem i działającym w imieniu konsorcjum, w skład którego wchodzi również Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, firma Dacpol oraz firma Inwebit. Teraz możemy w pełni poświęcić się pracom merytorycznym na projektem. Realizacja projektu przyczyni się do wprowadzenia na rynek nowoczesnych, efektywnych i konkurencyjnych banków energii oraz pozwoli zrewolucjonizować rynek tranzystorów a to wszystko w ramach krajowej produkcji, w oparciu o krajowe patenty.